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沧元图小说 > 芯片战争 > 3 诺伊斯、基尔比和集成电路

3 诺伊斯、基尔比和集成电路(4 / 5)

项巨大挑战。第个商业化晶体管是由锗制成,上面有多层不同材料,呈亚利桑那沙漠般台面形状。台面是通过用滴黑色蜡覆盖部分锗制成:使用化学物质蚀刻掉未被蜡覆盖部分,去除蜡后,锗上就形成台面形状。

台面结构个缺点是,灰尘或其他颗粒等杂质容易附着在裸露台面侧壁上并与之发生反应。诺伊斯同事简·霍尔尼(JeanHoerni)是位瑞士物理学家,也是位狂热登山者,他意识到如果整个晶体管内置在锗中而不是在其上,台面就没有必要存在。他发明种制造晶体管方法:在块硅片上沉积层保护性二氧化硅,然后在需要地方蚀刻孔并沉积额外材料。沉积保护层避免材料,bao露在会导致缺陷空气和杂质中,这是可靠性方面大进步。

《1959年:实用单片集成电路概念获得专利》(1959:PracticalMonolithicIntegratedCircuitConceptPatented),美国计算机历史博物馆,https://www.computerhistory.org/siliconengine/practical-monolithic-integrated-circuit-concept-patented/。克里斯托夫·勒库尔(ChristopheLecuyer)和大卫·布罗克,《微芯片制造商》(MakersoftheMicrochip),麻省理工学院出版社,2010年。罗伯特·诺伊斯,“半导体器件和引线结构”(SemiconductorDevice-and-LeadStructure),美国2981877号专利,1959年7月30日提交,1961年4月25日发布,https://patentimages.storage.googleapis.com/e1/73/1e/7404cd5ad6325c/US2981877.pd

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